Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7289
Producentens varenummer:: SI4447ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 7.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.345,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.430,00

(inkl. moms)

Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

På lager

Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 18. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 1,738	Kr. 4.345,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7289
Producentens varenummer:: SI4447ADY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	7.2A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	62mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	2.7W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	11.8nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	6.2 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	5mm
	Højde	1.75mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.2A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 62mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 2.7W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.8nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 6.2 mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 5mm
	Højde 1.75mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 40 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 45 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 4,2 W og kontinuerlig drænstrøm på 7,2 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• Belastningskontakter

• Notebook-pc'er

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet