Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 165-6938
- Producentens varenummer:
- SIR401DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 9.540,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.940,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,18 | Kr. 9.540,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6938
- Producentens varenummer:
- SIR401DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 205nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 5.26 mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 205nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 5.26 mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 50 A 20 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIR401DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRA06DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 58 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRA14DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 100 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRA00DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 335 A. 25 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRA20BDP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 45 8 ben TrenchFET SIRA88DP-T1-GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 60 A 30 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIRC06DP-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 8 ben TrenchFET SI4447ADY-T1-GE3
