Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 36 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-7292
Producentens varenummer:: SI4497DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 36 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 16.457,50

(ekskl. moms)

Kr. 20.572,50

(inkl. moms)

Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 07. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 6,583	Kr. 16.457,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7292
Producentens varenummer:: SI4497DY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	36A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	4.6mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	129nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	5W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	6.2 mm
	Højde	1.75mm
	Længde	5mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 4.6mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 129nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 5W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 6.2 mm
	Højde 1.75mm
	Længde 5mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 3,3 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 7,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 36 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• adapterkontakt

• Kontakt til høj strømbelastning

• Notebook

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet