Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 19.7 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SI4425DDY-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-8062
Producentens varenummer:: SI4425DDY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 19.7 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SI4425DDY-T1-GE3

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 40,04

(ekskl. moms)

Kr. 50,04

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 2.760 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 +	Kr. 2,002	Kr. 40,04

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-8062
Producentens varenummer:: SI4425DDY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	19.7A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Serie	TrenchFET
	Emballagetype	SO-8
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	16.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	3.6W
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	27nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	6.2 mm
	Højde	1.75mm
	Længde	5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19.7A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Serie TrenchFET
	Emballagetype SO-8
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 16.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 3.6W
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 6.2 mm
	Højde 1.75mm
	Længde 5mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 9,8 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5,7 W og kontinuerlig drænstrøm på 19,7 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• stationære pc'er

• Belastningskontakter

• Notebook-pc'er

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet