Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 29 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 180-7291
- Producentens varenummer:
- SI4459ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 180-7291
- Producentens varenummer:
- SI4459ADY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 129nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 129nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 7,8 W og kontinuerlig drænstrøm på 29 A. Minimum- og maksimumspændingen for denne MOSFET er hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakt
• Notebook
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• RG-testet
• UIS teste
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 29 A 30 V SO-8, TrenchFET SI4459ADY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 7 8 ben TrenchFET SI4447ADY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 19 8 ben TrenchFET SI4425DDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 36 A 30 V SO-8, TrenchFET SI4497DY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 14 8 ben TrenchFET SI4825DDY-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 50 A 20 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SIR401DP-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 18 8 ben TrenchFET® Gen IV Si4425FDY-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 8 8 ben TrenchFET Si4056ADY-T1-GE3
