Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-8134
- Producentens varenummer:
- SI4825DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 21,89
(ekskl. moms)
Kr. 27,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.150 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 2,189 | Kr. 21,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8134
- Producentens varenummer:
- SI4825DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 25 V. Den har en drænkildemodstand på 12,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5 W og kontinuerlig drænstrøm på 14,9 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• Belastningsomskifter
• notebook-adapterkontakt
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 36 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 19.7 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 20 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 50 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 18.3 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
