Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-8134
Producentens varenummer:: SI4825DDY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 21,89

(ekskl. moms)

Kr. 27,36

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

2.150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 +	Kr. 2,189	Kr. 21,89

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-8134
Producentens varenummer:: SI4825DDY-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	14.9A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	20.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	3.2W
	Portkildespænding maks.	25 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	29.5nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	6.2 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.75mm
	Længde	5mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.9A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 20.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 3.2W
	Portkildespænding maks. 25 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.5nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 6.2 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.75mm
	Længde 5mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 25 V. Den har en drænkildemodstand på 12,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5 W og kontinuerlig drænstrøm på 14,9 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• Belastningsomskifter

• notebook-adapterkontakt

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• RG-testet

• UIS-testet