Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 14.9 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-8134
- Producentens varenummer:
- SI4825DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 21,89
(ekskl. moms)
Kr. 27,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.090 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 2,189 | Kr. 21,89 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8134
- Producentens varenummer:
- SI4825DDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 29.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 6.2mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 25 V. Den har en drænkildemodstand på 12,5 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 5 W og kontinuerlig drænstrøm på 14,9 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på hhv. 4,5 V og 10 V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• Belastningsomskifter
• notebook-adapterkontakt
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet
• UIS-testet