Vishay N-Kanal, MOSFET, 5 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SI
- RS-varenummer:
- 279-9898
- Producentens varenummer:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 53,03
(ekskl. moms)
Kr. 66,29
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.480 enhed(er) afsendes fra 14. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 5,303 | Kr. 53,03 |
| 50 - 90 | Kr. 3,957 | Kr. 39,57 |
| 100 - 240 | Kr. 3,516 | Kr. 35,16 |
| 250 - 990 | Kr. 3,426 | Kr. 34,26 |
| 1000 + | Kr. 3,373 | Kr. 33,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9898
- Producentens varenummer:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SI | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.089Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SI | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.089Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet