Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SI
- RS-varenummer:
- 279-9898
- Producentens varenummer:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 43,16
(ekskl. moms)
Kr. 53,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 4,316 | Kr. 43,16 |
| 50 - 90 | Kr. 3,224 | Kr. 32,24 |
| 100 - 240 | Kr. 2,865 | Kr. 28,65 |
| 250 - 990 | Kr. 2,79 | Kr. 27,90 |
| 1000 + | Kr. 2,745 | Kr. 27,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9898
- Producentens varenummer:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | SI | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.089Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.5W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie SI | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.089Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.5W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI Nej SI4848BDY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI Nej SI4190BDY-T1-GE3
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY Nej SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8 Nej SI4534DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIRA00DP-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4825DDY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP Nej SIR870ADP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 21 A 100 V Forbedring SO-8, Si7454DDP Nej SI7454DDP-T1-GE3
