Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA74DP
- RS-varenummer:
- 210-5009
- Producentens varenummer:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 70,76
(ekskl. moms)
Kr. 88,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.340 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,076 | Kr. 70,76 |
| 100 - 240 | Kr. 6,725 | Kr. 67,25 |
| 250 - 490 | Kr. 5,101 | Kr. 51,01 |
| 500 - 990 | Kr. 4,593 | Kr. 45,93 |
| 1000 + | Kr. 4,406 | Kr. 44,06 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5009
- Producentens varenummer:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiRA74DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46.2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.25mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiRA74DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46.2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.25mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs forhold < 1 optimerer skiftekarakteristika
Optimeret til bølgelodning
Fleksible ledninger øger elasticiheden ved bøjning af kortet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS26LDN
- Vishay Type N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 70 A 30 V Forbedring SO-8, SiRA84BDP