Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA74DP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 50,45

(ekskl. moms)

Kr. 63,06

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.340 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,045Kr. 50,45
100 - 240Kr. 4,788Kr. 47,88
250 - 490Kr. 3,632Kr. 36,32
500 - 990Kr. 3,274Kr. 32,74
1000 +Kr. 2,775Kr. 27,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-5009
Producentens varenummer:
SiRA74DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

SiRA74DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

3.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

46.2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Længde

6.25mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Qgd/Qgs forhold < 1 optimerer skiftekarakteristika

Optimeret til bølgelodning

Fleksible ledninger øger elasticiheden ved bøjning af kortet

Relaterede links