Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIJA74DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 228-2892
- Producentens varenummer:
- SIJA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 53,93
(ekskl. moms)
Kr. 67,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,393 | Kr. 53,93 |
| 100 - 240 | Kr. 5,124 | Kr. 51,24 |
| 250 - 490 | Kr. 4,047 | Kr. 40,47 |
| 500 - 990 | Kr. 3,777 | Kr. 37,77 |
| 1000 + | Kr. 2,97 | Kr. 29,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2892
- Producentens varenummer:
- SIJA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46.2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46.2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 40 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 81.2 A. 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SIJA74DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 201 A 25 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SiJA22DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 113 A 45 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET SiJ450DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 A 45 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET® Gen IV SIJ150DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 60 A 80 V, PowerPAK SO-8L SIJ482DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 126 A 40 V PowerPAK SO-8L SiJA54ADP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 4 ben SiJ128LDP SiJ128LDP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 39 4 ben SiJ462ADP SiJ462ADP-T1-GE3
