Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2892
- Producentens varenummer:
- SIJA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 71,21
(ekskl. moms)
Kr. 89,01
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 7,121 | Kr. 71,21 |
| 100 - 240 | Kr. 6,769 | Kr. 67,69 |
| 250 - 490 | Kr. 5,341 | Kr. 53,41 |
| 500 - 990 | Kr. 4,989 | Kr. 49,89 |
| 1000 + | Kr. 3,912 | Kr. 39,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2892
- Producentens varenummer:
- SIJA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.99mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46.2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.99mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46.2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 40 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET