Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SIJA74DP-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 53,93

(ekskl. moms)

Kr. 67,41

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 5,393Kr. 53,93
100 - 240Kr. 5,124Kr. 51,24
250 - 490Kr. 4,047Kr. 40,47
500 - 990Kr. 3,777Kr. 37,77
1000 +Kr. 2,97Kr. 29,70

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2892
Producentens varenummer:
SIJA74DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81.2A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

3.99mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

27nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

46.2W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 40 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links