Vishay N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA74DP
- RS-varenummer:
- 210-5008
- Producentens varenummer:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 9.000,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.250,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,00 | Kr. 9.000,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 210-5008
- Producentens varenummer:
- SiRA74DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 81.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SiRA74DP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46.2W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 27nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 81.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SiRA74DP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46.2W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 27nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.26mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay N-kanal 40 V (D-S) 150 °C MOSFET har PowerPAK SO-8 hustype.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Indstillet til den laveste RDS-Qoss FOM
100 % Rg og UIS-testet
Qgd/Qgs forhold < 1 optimerer skiftekarakteristika
Optimeret til bølgelodning
Fleksible ledninger øger elasticiheden ved bøjning af kortet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP
- Vishay N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 81.2 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS26LDN
- Vishay N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay N-Kanal 27 A 40 V Forbedring SO-8, SiR416DP
- Vishay N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET