Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 225 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SIRS
- RS-varenummer:
- 279-9971
- Producentens varenummer:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 57,82
(ekskl. moms)
Kr. 72,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.988 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 28,91 | Kr. 57,82 |
| 50 - 98 | Kr. 21,69 | Kr. 43,38 |
| 100 - 248 | Kr. 19,26 | Kr. 38,52 |
| 250 - 998 | Kr. 18,81 | Kr. 37,62 |
| 1000 + | Kr. 18,475 | Kr. 36,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9971
- Producentens varenummer:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 225A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SIRS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0025Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 102nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 225A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SIRS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0025Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 102nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 105 A 20 V Forbedring SO-8, SiR
- Vishay Type P-Kanal 227 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type P-Kanal 198 A 40 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-kanal-Kanal 241 A 100 V Forbedring PowerPAK SO-8S, SiR
- Vishay Type N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring SO-8, SiR