Vishay N-Kanal, MOSFET, 19 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR462DP

Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*

Kr. 29,92

(ekskl. moms)

Kr. 37,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 5,984Kr. 29,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3402
Producentens varenummer:
SIR462DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

19A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

SiR462DP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Gennemgangsspænding Vf

800mV

Effektafsættelse maks. Pd

4.8W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.04mm

Bredde

5.89mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

4.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.