Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR462DP Nej SIR462DP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 710-3402
- Producentens varenummer:
- SIR462DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 29,92
(ekskl. moms)
Kr. 37,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.930 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 5,984 | Kr. 29,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 710-3402
- Producentens varenummer:
- SIR462DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR462DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.8W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.04mm | |
| Bredde | 5.89 mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR462DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.8W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.04mm | ||
Bredde 5.89 mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 19 A 30 V Forbedring SO-8, SiR462DP Nej
- Vishay 4 Dual N-Kanal 8 A 60 V Forbedring SO-8, SI9634DY Nej SI9634DY-T1-GE3
- Vishay Type N MOSFET 8 Ben, SO-8 Nej SI4534DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIRA00DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP Nej SIR870ADP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 21 A 100 V Forbedring SO-8, Si7454DDP Nej SI7454DDP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS Nej SIRS5800DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej Si4056ADY-T1-GE3