Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA84BDP Nej SiRA84BDP-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 188-5078
- Producentens varenummer:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 64,85
(ekskl. moms)
Kr. 81,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,594 | Kr. 64,85 |
| 250 - 600 | Kr. 2,542 | Kr. 63,55 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,948 | Kr. 48,70 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,532 | Kr. 38,30 |
| 2500 + | Kr. 1,194 | Kr. 29,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5078
- Producentens varenummer:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiRA84BDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.99mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiRA84BDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.99mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 70 A 30 V PowerPAK SO-8 SiRA84BDP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 30 A 20 V, PowerPAK SO-8 SIR424DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA04DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 60 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA10DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 7 PowerPAK SO-8 SIR698DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 25 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA12DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 33 A 30 V, PowerPAK SO-8 SIRA18DP-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 21 A 100 V PowerPAK SO-8 SI7454DDP-T1-GE3
