Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA84BDP
- RS-varenummer:
- 188-5078
- Producentens varenummer:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 149,30
(ekskl. moms)
Kr. 186,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 300 enhed(er) afsendes fra 24. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 5,972 | Kr. 149,30 |
| 250 - 600 | Kr. 5,855 | Kr. 146,38 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,485 | Kr. 112,13 |
| 1250 - 2475 | Kr. 3,53 | Kr. 88,25 |
| 2500 + | Kr. 2,753 | Kr. 68,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5078
- Producentens varenummer:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiRA84BDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.07mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiRA84BDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.07mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.99mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 70 A 30 V Forbedring SO-8, SiRA84BDP
- Vishay Type N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 19 A 30 V Forbedring SO-8, SiR462DP
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP