Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SI

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 77,94

(ekskl. moms)

Kr. 97,424

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.980 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 - 56Kr. 19,485Kr. 77,94
60 - 96Kr. 18,27Kr. 73,08
100 - 236Kr. 16,27Kr. 65,08
240 - 996Kr. 16,008Kr. 64,03
1000 +Kr. 15,69Kr. 62,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9895
Producentens varenummer:
SI4190BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SI

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.093Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

95nC

Effektafsættelse maks. Pd

8.4W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.