Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SI
- RS-varenummer:
- 279-9895
- Producentens varenummer:
- SI4190BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 89,76
(ekskl. moms)
Kr. 112,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 428 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | Kr. 22,44 | Kr. 89,76 |
| 60 - 96 | Kr. 21,055 | Kr. 84,22 |
| 100 - 236 | Kr. 18,738 | Kr. 74,95 |
| 240 - 996 | Kr. 18,42 | Kr. 73,68 |
| 1000 + | Kr. 18,065 | Kr. 72,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9895
- Producentens varenummer:
- SI4190BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SI | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.093Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 8.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 95nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SI | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.093Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 8.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 95nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay Type N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 225 A 100 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 70 A 30 V Forbedring SO-8, SiRA84BDP
- Vishay Type N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay Type N-Kanal 19 A 30 V Forbedring SO-8, SiR462DP
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP
