Vishay N-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiRA84BDP
- RS-varenummer:
- 188-4883
- Producentens varenummer:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 188-4883
- Producentens varenummer:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiRA84BDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -16V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5.99mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiRA84BDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -16V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5.99mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 70 A 30 V Forbedring SO-8, SiRA84BDP
- Vishay N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay N-Kanal 27 A 40 V Forbedring SO-8, SiR416DP
- Vishay N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS