Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 19 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR462DP Nej
- RS-varenummer:
- 165-2723
- Producentens varenummer:
- SIR462DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.014,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.516,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,338 | Kr. 10.014,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-2723
- Producentens varenummer:
- SIR462DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | SiR462DP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.8W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.89 mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie SiR462DP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.8W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.89 mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 19 A 30 V Forbedring SO-8, SiR462DP Nej SIR462DP-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 27 A 40 V Forbedring SO-8, SiR416DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring SO-8, SiR870ADP Nej
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, SiRA74DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 23 A 40 V Forbedring SO-8, SiR418DP Nej