Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81.2 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS26LDN Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 11.343,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.178,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,781Kr. 11.343,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4901
Producentens varenummer:
SISS26LDN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiSS26LDN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

31.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

57W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.3 mm

Højde

0.78mm

Længde

3.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links