Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.742,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.176,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 6.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,914Kr. 5.742,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4889
Producentens varenummer:
SIS862ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.15mm

Højde

1.07mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.