Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 5.742,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.176,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • 6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,914Kr. 5.742,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4889
Producentens varenummer:
SIS862ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.15 mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.15mm

Højde

1.07mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Recently viewed