Vishay N-Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (25 enheder, i en pakke med 25)*

Kr. 165,90

(ekskl. moms)

Kr. 207,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 6,636Kr. 165,90
125 - 225Kr. 5,978Kr. 149,45
250 - 600Kr. 5,64Kr. 141,00
625 - 1225Kr. 4,312Kr. 107,80
1250 +Kr. 3,716Kr. 92,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4951
Elfa Distrelec varenummer:
304-38-850
Producentens varenummer:
SIS862ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

PowerPAK 1212

Serie

SiS862ADN

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.15mm

Højde

1.07mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.