Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN Nej SIS862ADN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 188-4951
- Producentens varenummer:
- SIS862ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 155,15
(ekskl. moms)
Kr. 193,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 8.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 6,206 | Kr. 155,15 |
| 125 - 225 | Kr. 5,589 | Kr. 139,73 |
| 250 - 600 | Kr. 5,275 | Kr. 131,88 |
| 625 - 1225 | Kr. 4,033 | Kr. 100,83 |
| 1250 + | Kr. 3,477 | Kr. 86,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4951
- Producentens varenummer:
- SIS862ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiS862ADN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19.8nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.15 mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 3.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Distrelec Product Id | 304-38-850 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie SiS862ADN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19.8nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.15 mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 3.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Distrelec Product Id 304-38-850 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SiS862ADN Nej
- Vishay Type P-Kanal 5.7 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8 Nej SI7415DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS26LDN Nej SISS26LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 69.4 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS184LDN-T1-GE3
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SiSS12DN-T1-GE3
- Vishay 4 Dual N-Kanal 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN Nej SIS9634LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 92.5 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej SiSS22LDN-T1-GE3
- Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm 52 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV Nej