Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 165,90

(ekskl. moms)

Kr. 207,375

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.900 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 6,636Kr. 165,90
125 - 225Kr. 5,978Kr. 149,45
250 - 600Kr. 5,64Kr. 141,00
625 - 1225Kr. 4,312Kr. 107,80
1250 +Kr. 3,716Kr. 92,90

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4951
Elfa Distrelec varenummer:
304-38-850
Producentens varenummer:
SIS862ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.15mm

Højde

1.07mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.