Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS862ADN

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 155,15

(ekskl. moms)

Kr. 193,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 8.900 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 100Kr. 6,206Kr. 155,15
125 - 225Kr. 5,589Kr. 139,73
250 - 600Kr. 5,275Kr. 131,88
625 - 1225Kr. 4,033Kr. 100,83
1250 +Kr. 3,477Kr. 86,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4951
Elfa Distrelec varenummer:
304-38-850
Producentens varenummer:
SIS862ADN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

52A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19.8nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.15mm

Højde

1.07mm

Bredde

3.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links

Recently viewed