Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2821
- Producentens varenummer:
- Si4090BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 24,24
(ekskl. moms)
Kr. 30,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 4,848 | Kr. 24,24 |
| 50 - 245 | Kr. 4,368 | Kr. 21,84 |
| 250 - 495 | Kr. 3,92 | Kr. 19,60 |
| 500 - 1245 | Kr. 3,874 | Kr. 19,37 |
| 1250 + | Kr. 3,83 | Kr. 19,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2821
- Producentens varenummer:
- Si4090BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.4W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET