Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej Si4090BDY-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 61,04

(ekskl. moms)

Kr. 76,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 12,208Kr. 61,04
50 - 245Kr. 10,966Kr. 54,83
250 - 495Kr. 9,754Kr. 48,77
500 - 1245Kr. 9,14Kr. 45,70
1250 +Kr. 6,104Kr. 30,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2821
Producentens varenummer:
Si4090BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18.7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

7.4W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links