Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 65,00

(ekskl. moms)

Kr. 81,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 13,00Kr. 65,00
50 - 245Kr. 11,684Kr. 58,42
250 - 495Kr. 10,382Kr. 51,91
500 - 1245Kr. 9,724Kr. 48,62
1250 +Kr. 6,492Kr. 32,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2821
Producentens varenummer:
Si4090BDY-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18.7A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

7.4W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links