Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18.7 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej Si4090BDY-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 228-2821
- Producentens varenummer:
- Si4090BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,04
(ekskl. moms)
Kr. 76,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,208 | Kr. 61,04 |
| 50 - 245 | Kr. 10,966 | Kr. 54,83 |
| 250 - 495 | Kr. 9,754 | Kr. 48,77 |
| 500 - 1245 | Kr. 9,14 | Kr. 45,70 |
| 1250 + | Kr. 6,104 | Kr. 30,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2821
- Producentens varenummer:
- Si4090BDY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 7.4W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 7.4W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIRA00DP-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 14.9 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4825DDY-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 19.7 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4425DDY-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4459ADY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej Si4056ADY-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 36 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SI4497DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIRA20BDP-T1-GE3
