Vishay 4 Dual N-Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN
- RS-varenummer:
- 268-8345
- Producentens varenummer:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 38,15
(ekskl. moms)
Kr. 47,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 5.960 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,63 | Kr. 38,15 |
| 50 - 95 | Kr. 6,836 | Kr. 34,18 |
| 100 - 245 | Kr. 5,31 | Kr. 26,55 |
| 250 - 995 | Kr. 5,222 | Kr. 26,11 |
| 1000 + | Kr. 3,606 | Kr. 18,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8345
- Producentens varenummer:
- SIS9634LDN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | SIS9634LDN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 60 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, UIS tested 100 percent | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie SIS9634LDN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 60 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, UIS tested 100 percent | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay dobbelt N-kanal TrenchFET 4 generation strøm MOSFET, der er fuldt bly pb og halogenfri enhed. Den er optimeret, og forholdet reducerer koblingsrelateret effekttab, og den bruges i anvendelser som f.eks. synkron ensretning, motordrev
I overensstemmelse med ROHS
UIS-testet 100 procent
Relaterede links
- Vishay 4 Dual N-Kanal 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN Nej SIS9634LDN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 5.7 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8 Nej SI7415DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 8.8 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS112LDN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 35 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212-8, Si7615ADN Nej SI7615ADN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 69.4 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SIS Nej SIS184LDN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 162 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS52DN Nej SiSS52DN-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 67.4 A 70 V Forbedring PowerPAK 1212, SiSS76LDN Nej SiSS76LDN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 9.6 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, Si7121DN Nej SI7121DN-T1-GE3
