Vishay 4 Dual N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ936E
- RS-varenummer:
- 268-8368
- Producentens varenummer:
- SQJQ936E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 129,25
(ekskl. moms)
Kr. 161,55
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.995 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 25,85 | Kr. 129,25 |
| 50 - 95 | Kr. 23,262 | Kr. 116,31 |
| 100 - 245 | Kr. 18,744 | Kr. 93,72 |
| 250 + | Kr. 18,386 | Kr. 91,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8368
- Producentens varenummer:
- SQJQ936E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | SQJQ936E | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Antal elementer per chip | 4 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie SQJQ936E | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Antal elementer per chip 4 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay dobbelt N-kanal TrenchFET generation 4 effekt MOSFET til brug i biler er en bly- og halogenfri enhed med enkelt konfiguration MOSFET og er uafhængig af driftstemperatur.
AEC Q101-kvalificeret
I overensstemmelse med ROHS
Relaterede links
- Vishay 4 Dual N-Kanal 100 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ936E
- Vishay Type N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 460 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ142E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 375 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ148E AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 155 A 100 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 701 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 245 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 575 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101