Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 155 A 100 V Forbedring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-271
- Producentens varenummer:
- SQJQ118E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 21,96
(ekskl. moms)
Kr. 27,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 21,96 |
| 10 - 24 | Kr. 14,26 |
| 25 - 99 | Kr. 7,52 |
| 100 - 499 | Kr. 7,26 |
| 500 + | Kr. 7,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-271
- Producentens varenummer:
- SQJQ118E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 155A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0098Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 122nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 7.9 mm | |
| Længde | 8mm | |
| Højde | 1.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 155A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0098Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 122nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 7.9 mm | ||
Længde 8mm | ||
Højde 1.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- Vishay P-kanal-Kanal -175 A -80 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -222 A -60 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 701 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 445 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 245 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 437 A 60 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 460 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ142E AEC-Q101
