Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -192 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK (8x8L), SQJQ143EL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-117
- Producentens varenummer:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 24,76
(ekskl. moms)
Kr. 30,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 24,76 |
| 10 - 49 | Kr. 15,41 |
| 50 - 99 | Kr. 11,82 |
| 100 + | Kr. 9,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-117
- Producentens varenummer:
- SQJQ143EL-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | SQJQ143EL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0059Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 283W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 241nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 8mm | |
| Længde | 7.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Serie SQJQ143EL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0059Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 283W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 241nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 8mm | ||
Længde 7.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Power MOSFET er designet til bilanvendelser, der er i stand til at fungere under barske forhold. Dens robuste konstruktion sikrer pålidelighed i krævende scenarier og optimerer ydeevnen med sit avancerede design.
Lav modstand i tændt tilstand sikrer reduceret effekttab
Optimeret termisk ydeevne forlænger driftslevetiden
Relaterede links
- Vishay P-kanal-Kanal -175 A -80 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -222 A -60 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 155 A 100 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 445 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 575 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ144AE AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 460 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ142E AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 375 A 40 V Forbedring PowerPAK (8x8L), SQJQ148E AEC-Q101
