STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 4 Ben, ECOPACK, STL
- RS-varenummer:
- 273-5099
- Producentens varenummer:
- STL260N4F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 28.005,00
(ekskl. moms)
Kr. 35.007,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 9,335 | Kr. 28.005,00 |
| 6000 + | Kr. 8,957 | Kr. 26.871,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-5099
- Producentens varenummer:
- STL260N4F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | ECOPACK | |
| Serie | STL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 188W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype ECOPACK | ||
Serie STL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 188W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret skotgate-struktur, der resulterer i meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.
AEC-Q101-kvalificeret
Fremragende FoM
Høj lavinhårdhed