Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS
- RS-varenummer:
- 279-9991
- Producentens varenummer:
- SISS5108DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 17.085,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.357,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,695 | Kr. 17.085,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9991
- Producentens varenummer:
- SISS5108DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | 1212-8S | |
| Serie | SISS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0105Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype 1212-8S | ||
Serie SISS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0105Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste
100 procent Rg og UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 55.9 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type N-Kanal 128 A 40 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type N-Kanal 66.6 A 80 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type N-Kanal 40.7 A 100 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type N-Kanal 26.2 A 150 V Forbedring PowerPAK 1212-8S, SISS
- Vishay Type P-Kanal 59.2 A 40 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type N-Kanal 162 A 30 V Forbedring 1212-8S, SISS
- Vishay Type N-Kanal 58.1 A 80 V PowerPAK 1212-8S, SIS