Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 55.9 A 100 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SISS

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 17.085,00

(ekskl. moms)

Kr. 21.357,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 5,695Kr. 17.085,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
279-9991
Producentens varenummer:
SISS5108DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

1212-8S

Serie

SISS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0105Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Effektafsættelse maks. Pd

65.7W

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Meget lav RDS x Qg tal for fortjeneste

100 procent Rg og UIS testet

Relaterede links