Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 36.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, 1212-8S, SiSS5623DN
- RS-varenummer:
- 280-0001
- Producentens varenummer:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 77,04
(ekskl. moms)
Kr. 96,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 796 enhed(er) afsendes fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | Kr. 19,26 | Kr. 77,04 |
| 60 - 96 | Kr. 18,438 | Kr. 73,75 |
| 100 - 236 | Kr. 16,345 | Kr. 65,38 |
| 240 - 996 | Kr. 16,045 | Kr. 64,18 |
| 1000 + | Kr. 15,745 | Kr. 62,98 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0001
- Producentens varenummer:
- SISS5623DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SiSS5623DN | |
| Emballagetype | 1212-8S | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.046Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SiSS5623DN | ||
Emballagetype 1212-8S | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.046Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
Ny generation af effekt-MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Ultra lav RDS x Qg FOM produkt
Fuldt blyfri (Pb)-enhed