Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 9 A 12 V Forbedring, 7 Ben, SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 280-0017
- Producentens varenummer:
- SQA409CEJW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 66,28
(ekskl. moms)
Kr. 82,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 3,314 | Kr. 66,28 |
| 40 - 80 | Kr. 2,895 | Kr. 57,90 |
| 100 - 280 | Kr. 2,577 | Kr. 51,54 |
| 300 - 980 | Kr. 2,521 | Kr. 50,42 |
| 1000 + | Kr. 2,469 | Kr. 49,38 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0017
- Producentens varenummer:
- SQA409CEJW-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SC-70W-6L | |
| Serie | SQA | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0288Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 13.6W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.72V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 2.05mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SC-70W-6L | ||
Serie SQA | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0288Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 13.6W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.72V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 2.05mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay automotive MOSFET er en P-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
AEC-Q101-kvalificeret
Fuldt blyfri (Pb)-enhed
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 9 A 12 V Forbedring SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 9 A 20 V Forbedring PowerPAK SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 5.63 A 30 V Forbedring SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 9 A 30 V Forbedring SC-70W-6L, SQA AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 7.5 A 20 V Forbedring PowerPAK SC-70W-6L AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 6.46 A 60 V Forbedring PowerPAK SC-70W-6L AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -8.7 A -40 V Forbedring PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -4.53 A -80 V Forbedring PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101
