STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP
- RS-varenummer:
- 285-5915P
- Producentens varenummer:
- STP80N900K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 99,50
(ekskl. moms)
Kr. 124,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 9,95 |
| 100 - 499 | Kr. 6,81 |
| 500 - 999 | Kr. 6,73 |
| 1000 + | Kr. 6,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 285-5915P
- Producentens varenummer:
- STP80N900K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | STP | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 68W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 28.9mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie STP | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 68W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 28.9mm | ||
Højde 4.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET til meget høj spænding er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-erfaring med super junction-teknologi. Resultatet er den bedste modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste RDS(on) x areal
Verdens bedste FOM (figure of merit)
Ultra lav gate-ladning
100 % lavinetestet
Zenerbeskyttet