STMicroelectronics Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 9.7 A 650 V Forbedring, 31 Ben, QFN-9, MASTERG Nej MASTERGAN1LTR

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 180.426,00

(ekskl. moms)

Kr. 225.534,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 22. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 60,142Kr. 180.426,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
287-7040
Producentens varenummer:
MASTERGAN1LTR
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.7A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

QFN-9

Serie

MASTERG

Monteringstype

Overflade

Benantal

31

Drain source modstand maks. Rds

220mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-40°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2nC

Effektafsættelse maks. Pd

40mW

Driftstemperatur maks.

125°C

Højde

1mm

Bredde

9 mm

Længde

9mm

Standarder/godkendelser

RoHS, ECOPACK

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
TH
STMicroelectronics Microcontroller er et avanceret strømsystem i en pakke, der integrerer en gate-driver og to Enhancement Mode GaN-transistorer i halvbro-konfiguration. De integrerede power GaNs har RDS(ON) på 150 mΩ, 650 V drain-source-blokeringsspænding, mens den høje side af den indbyggede gate-driver nemt kan forsynes af den integrerede bootstrap-diode.

Zero reverse recovery loss

UVLO-beskyttelse på VCC

Intern bootstrap-diode

Interlocking-funktion

Relaterede links