STMicroelectronics Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 9.7 A 650 V Forbedring, 31 Ben, QFN-9, MASTERG
- RS-varenummer:
- 287-7040
- Producentens varenummer:
- MASTERGAN1LTR
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 287-7040
- Producentens varenummer:
- MASTERGAN1LTR
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | MASTERG | |
| Emballagetype | QFN-9 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 31 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 220mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40mW | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, ECOPACK | |
| Bredde | 9mm | |
| Længde | 9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie MASTERG | ||
Emballagetype QFN-9 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 31 | ||
Drain source modstand maks. Rds 220mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40mW | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, ECOPACK | ||
Bredde 9mm | ||
Længde 9mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
STMicroelectronics Microcontroller er et avanceret strømsystem i en pakke, der integrerer en gate-driver og to Enhancement Mode GaN-transistorer i halvbro-konfiguration. De integrerede power GaNs har RDS(ON) på 150 mΩ, 650 V drain-source-blokeringsspænding, mens den høje side af den indbyggede gate-driver nemt kan forsynes af den integrerede bootstrap-diode.
Zero reverse recovery loss
UVLO-beskyttelse på VCC
Intern bootstrap-diode
Interlocking-funktion
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N MOSFET 31 Ben MASTERG
- STMicroelectronics Type P MOSFET 31 Ben MASTERG
- Infineon Type P-Kanal 9.7 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-263, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-220, CoolMOS
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CFD7
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring TO-247, CoolMOS CP