STMicroelectronics Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 9.7 A 650 V Forbedring, 31 Ben, QFN-9, MASTERG
- RS-varenummer:
- 287-7041P
- Producentens varenummer:
- MASTERGAN1LTR
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 25 flere for at gemme Kr. 69,25
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 371,80
(ekskl. moms)
Kr. 464,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 263 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 10 - 24 | Kr. 37,18 | - |
| 25 - 99 | Kr. 34,41 | Kr. 69,25 |
| 100 - 999 | Kr. 31,86 | Kr. 532,00 |
| 1000 + | Kr. 31,49 | Kr. 5.690,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 287-7041P
- Producentens varenummer:
- MASTERGAN1LTR
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | QFN-9 | |
| Serie | MASTERG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 31 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 220mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 40mW | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Længde | 9mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, ECOPACK | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype QFN-9 | ||
Serie MASTERG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 31 | ||
Drain source modstand maks. Rds 220mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 40mW | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Længde 9mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, ECOPACK | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
STMicroelectronics Microcontroller er et avanceret strømsystem i en pakke, der integrerer en gate-driver og to Enhancement Mode GaN-transistorer i halvbro-konfiguration. De integrerede power GaNs har RDS(ON) på 150 mΩ, 650 V drain-source-blokeringsspænding, mens den høje side af den indbyggede gate-driver nemt kan forsynes af den integrerede bootstrap-diode.
Zero reverse recovery loss
UVLO-beskyttelse på VCC
Intern bootstrap-diode
Interlocking-funktion