STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP80N
- RS-varenummer:
- 287-7047P
- Producentens varenummer:
- STP80N1K1K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 333,00
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 279,00
(ekskl. moms)
Kr. 348,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 298 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 98 | Kr. 13,95 | - |
| 100 - 198 | Kr. 10,62 | Kr. 333,00 |
| 200 + | Kr. 9,425 | Kr. 905,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 287-7047P
- Producentens varenummer:
- STP80N1K1K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | STP80N | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie STP80N | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.7nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er designet ved hjælp af den ultimative MDmesh K6-teknologi baseret på 20 års STMicroelectronics-erfaring med super junction-teknologi. Resultatet er det bedste i klassen med hensyn til modstand pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Verdens bedste FOM
Ultra lav gate-ladning
100 procent lavinetestet