STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247-4, STW65N
- RS-varenummer:
- 287-7055P
- Producentens varenummer:
- STW65N045M9-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 494,40
(ekskl. moms)
Kr. 618,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 119 | Kr. 49,44 |
| 120 - 509 | Kr. 48,84 |
| 510 - 1019 | Kr. 48,17 |
| 1020 + | Kr. 47,65 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 287-7055P
- Producentens varenummer:
- STW65N045M9-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 54A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247-4 | |
| Serie | STW65N | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 312W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 54A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247-4 | ||
Serie STW65N | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 312W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET er baseret på den mest innovative super junction MDmesh M9-teknologi. Den siliciumbaserede M9-teknologi drager fordel af en fremstillingsproces med flere dræn, som giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste on-modstande og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle siliciumbaserede hurtigt skiftende super junction Power MOSFET'er, hvilket gør den særligt velegnet til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet.
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende koblingsydelse
Let at drive
100 procent lavinetestet