STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247-4, STW65N

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 1.098,20

(ekskl. moms)

Kr. 1.372,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
10 +Kr. 109,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
287-7055P
Producentens varenummer:
STW65N045M9-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

54A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

STW65N

Emballagetype

TO-247-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics Power MOSFET er baseret på den mest innovative super junction MDmesh M9-teknologi. Den siliciumbaserede M9-teknologi drager fordel af en fremstillingsproces med flere dræn, som giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste on-modstande og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle siliciumbaserede hurtigt skiftende super junction Power MOSFET'er, hvilket gør den særligt velegnet til applikationer, der kræver overlegen effekttæthed og enestående effektivitet.

Højere dv/dt-kapacitet

Fremragende koblingsydelse

Let at drive

100 procent lavinetestet

Recently viewed