Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 850 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH103 Nej BSH103,215
- RS-varenummer:
- 484-5560
- Producentens varenummer:
- BSH103,215
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 53,50
(ekskl. moms)
Kr. 67,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,14 | Kr. 53,50 |
| 50 - 100 | Kr. 1,481 | Kr. 37,03 |
| 125 - 225 | Kr. 1,083 | Kr. 27,08 |
| 250 - 475 | Kr. 1,025 | Kr. 25,63 |
| 500 + | Kr. 1,006 | Kr. 25,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 484-5560
- Producentens varenummer:
- BSH103,215
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 850mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | BSH103 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 400mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 850mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie BSH103 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 400mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, op til 30 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 850 mA 30 V SOT-23 BSH103,215
- Nexperia N-Kanal 400 mA 30 V SOT-23 NX3008NBK,215
- Nexperia N-Kanal 300 mA 60 V SOT-23 PMBF170,215
- Nexperia N-Kanal 190 mA 100 V SOT-23 BST82,215
- Nexperia N-Kanal 150 mA 100 V SOT-23 BSS123,215
- Nexperia N-Kanal 270 mA 60 V SOT-23 NX7002BKR
- Nexperia N-Kanal 300 mA 60 V SOT-23 2N7002,215
- Nexperia N-Kanal 360 mA 60 V SOT-23 2N7002P,215
