STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET II
- RS-varenummer:
- 485-7800
- Producentens varenummer:
- STP60NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 73,15
(ekskl. moms)
Kr. 91,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 255 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.400 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,63 | Kr. 73,15 |
| 50 - 245 | Kr. 8,588 | Kr. 42,94 |
| 250 - 495 | Kr. 6,056 | Kr. 30,28 |
| 500 + | Kr. 4,726 | Kr. 23,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 485-7800
- Producentens varenummer:
- STP60NF06
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 49nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.6mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 49nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.6mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 38 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-252, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II