STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 9 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247 Nej STW10NK80Z
- RS-varenummer:
- 485-8572
- Producentens varenummer:
- STW10NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 40,24
(ekskl. moms)
Kr. 50,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 7 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2026
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 15. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 40,24 |
| 10 - 24 | Kr. 36,43 |
| 25 - 99 | Kr. 34,26 |
| 100 - 499 | Kr. 27,30 |
| 500 + | Kr. 24,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 485-8572
- Producentens varenummer:
- STW10NK80Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9 A 800 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 19.5 A 800 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 800 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-247 Nej STW12NK80Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 800 V Forbedring TO-247 Nej STW15N80K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 19.5 A 800 V Forbedring TO-247 Nej STW25N80K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-247, MDmesh Nej