Infineon P-Kanal, MOSFET, 5.3 A 20 V, 8 ben, SOIC, HEXFET IRF7204PBF

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter P-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Infineon IRF7204 er 20 V enkelt P-kanal HEXFET effekt MOSFET i et SO-8 hus.

Branchens bedste kvalitet
Dynamisk dv/dt-normering
Hurtigt skift
Fuldt Avalanche-klassificeret
175 °C driftstemperatur

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.