Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 600 mA 200 V Forbedring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD
- RS-varenummer:
- 541-0531
- Producentens varenummer:
- IRFD210PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 6,28
(ekskl. moms)
Kr. 7,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 6,28 |
| 10 - 49 | Kr. 5,76 |
| 50 - 99 | Kr. 5,01 |
| 100 - 249 | Kr. 4,86 |
| 250 + | Kr. 4,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-0531
- Producentens varenummer:
- IRFD210PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 600mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | HVMDIP | |
| Serie | IRFD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 3.37mm | |
| Bredde | 6.29 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 600mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype HVMDIP | ||
Serie IRFD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 3.37mm | ||
Bredde 6.29 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 200 V til 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 600 mA 200 V Forbedring HVMDIP, IRFD
- Vishay Type N-Kanal 1.3 A 100 V Forbedring HVMDIP, IRFD
- Vishay Type N-Kanal 1 A 100 V Forbedring HVMDIP, IRFD
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring HVMDIP, IRFD
- Vishay Type N-Kanal 1.3 A 100 V Forbedring HVMDIP, IRLD
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring HVMDIP, IRLD
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 60 V Forbedring HVMDIP, IRLD
- Vishay Type N-Kanal 600 mA 30 V Forbedring SC-70, Si1302DL
