Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 6.1 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG50
- RS-varenummer:
- 541-1095
- Elfa Distrelec varenummer:
- 301-91-596
- Producentens varenummer:
- IRFPG50PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 48,84
(ekskl. moms)
Kr. 61,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 55 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 120 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 499 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 48,84 |
| 10 - 24 | Kr. 42,04 |
| 25 - 49 | Kr. 39,12 |
| 50 - 99 | Kr. 36,65 |
| 100 + | Kr. 31,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1095
- Elfa Distrelec varenummer:
- 301-91-596
- Producentens varenummer:
- IRFPG50PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | IRFPG50 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 190nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5.31mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie IRFPG50 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5.31mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFPG50 seriens Power MOSFET, 1000 V drain source spænding, 190 W effekttab - IRFPG50PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling og strømstyring i krævende industrielle miljøer. Den giver høj drain-til-kilde-spændingskapacitet og er beregnet til montering gennem hul i strømsamlinger, hvor der kræves robust termisk og elektrisk ydeevne over et bredt omgivende område.
Egenskaber og fordele:
• 1000 V-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 6.1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 190 W maks. tab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 2 Ω maks. Rds(on) forenkler portdrev og termisk design
• 190 nC typisk gate-opladning informerer gate-driverens energibudget
• 20 V porttolerance giver mulighed for fleksible portdrevmargener
• 6.1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 190 W maks. tab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 2 Ω maks. Rds(on) forenkler portdrev og termisk design
• 190 nC typisk gate-opladning informerer gate-driverens energibudget
• 20 V porttolerance giver mulighed for fleksible portdrevmargener
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til industrielle motordrev i frontender
• Anvendes til inverter- og UPS-skiftetrin
• Kan bruges til omskiftning af resistiv belastning i testudstyr
• Velegnet til hullede prototypefremstilling og reparationsscenarier
• Ideel til industrielle motordrev i frontender
• Anvendes til inverter- og UPS-skiftetrin
• Kan bruges til omskiftning af resistiv belastning i testudstyr
• Velegnet til hullede prototypefremstilling og reparationsscenarier
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?
Den leveres i en TO-247AC-pakke, der er designet til montering gennem hul for at muliggøre pålidelig fastgørelse af kort og køleplade.
Hvilket termisk område er den nominelt beregnet til at fungere inden for?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor temperaturvariation.
Hvor mange ben er til stede, og hvordan påvirker det layoutet?
Enheden har tre ben, der giver mulighed for standard 1-kanals MOSFET-printkortlayouts og konventionel gate-, drain- og kilderouting.
Hvad er enhedens fremadgående spænding, og hvordan påvirker det koblingstab?
Den fremadrettede spænding er 1,8 V, hvilket bidrager til lednings- og koblingsenergiberegninger, når den bruges i kredsløb med diodeledning eller body-diode-hændelser.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 6.1 A 1 kV Forbedring TO-247AC, IRFPG50
- Vishay N-Kanal 70 A 60 V Forbedring TO-247AC, IRFP064
- Vishay N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-247AC, IRFP
- Vishay N-Kanal 23 A 400 V Forbedring TO-247AC, IRFP360
- Vishay N-Kanal 38 A 250 V Forbedring TO-247AC, IRFP264
- Infineon N-Kanal 171 A 150 V Forbedring TO-247AC, HEXFET
- Infineon N-Kanal 350 A 75 V Forbedring TO-247AC, HEXFET
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247AC, EF