Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 6.1 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-247, IRFP Nej
- RS-varenummer:
- 178-0788
- Producentens varenummer:
- IRFPG50PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 723,90
(ekskl. moms)
Kr. 904,875
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 16. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 28,956 | Kr. 723,90 |
| 50 - 100 | Kr. 28,089 | Kr. 702,23 |
| 125 + | Kr. 26,931 | Kr. 673,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-0788
- Producentens varenummer:
- IRFPG50PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | IRFP | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 190nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.7mm | |
| Bredde | 5.31 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie IRFP | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 190nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.7mm | ||
Bredde 5.31 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600 V til 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 6.1 A 1 kV Forbedring TO-247, IRFP Nej IRFPG50PBF
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 1 kV Forbedring TO-247, IRFP Nej
- Vishay Type N-Kanal 4.3 A 1 kV Forbedring TO-247, IRFP Nej IRFPG40PBF
- Vishay Type N-Kanal 23 A 400 V Forbedring TO-247, IRFP Nej
- Vishay Type N-Kanal 15 A 250 V Forbedring TO-247, IRFP Nej
- Vishay Type N-Kanal 16 A 400 V Forbedring TO-247, IRFP Nej
- Vishay Type N-Kanal 7.8 A 800 V Forbedring TO-247, IRFP Nej
- Vishay Type N-Kanal 5.4 A 800 V Forbedring TO-247, IRFP Nej
