Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, LogicFET
- RS-varenummer:
- 541-2105
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-389
- Producentens varenummer:
- IRL1004PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 21,65
(ekskl. moms)
Kr. 27,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 22 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 267 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 432 enhed(er) afsendes fra 27. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 21,65 |
| 5 - 9 | Kr. 21,02 |
| 10 - 14 | Kr. 20,57 |
| 15 - 24 | Kr. 19,90 |
| 25 + | Kr. 19,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-2105
- Elfa Distrelec varenummer:
- 303-41-389
- Producentens varenummer:
- IRL1004PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | LogicFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 200W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.69 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie LogicFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 200W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.69 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon LogicFET Series MOSFET, 130A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRL1004PBF
Denne højtydende MOSFET anvender Si-teknologi og er designet til effektiv strømstyring i en lang række elektroniske applikationer. Den forbedrede N-kanalstruktur sikrer effektiv drift, hvilket gør den velegnet til moderne automatiserings- og elektriske systemer, især i kredsløb med høj effekt.
Egenskaber og fordele
• Kontinuerlig strømkapacitet på op til 130A
• Maksimal drain-source-spænding på 40 V sikrer robust ydeevne
• Lav Rds(on) på 7mΩ for at mindske varmeudviklingen
• Høj termisk stabilitet med en maksimal driftstemperatur på +175 °C
• Kompakt TO-220AB-pakke giver mulighed for alsidige monteringsmuligheder
Anvendelsesområder
• Højeffektive strømforsyningskredsløb
• Automatiseringssystemer til biler og industri
• Energistyrings- og konverteringssystemer
Hvordan bidrager Rds(on) til enhedens effektivitet?
En lav Rds(on) på 7mΩ minimerer strømtab under drift, hvilket reducerer varmen og forbedrer den samlede effektivitet i strømapplikationer.
Hvad er betydningen af driftstemperaturområdet?
Enheden kan fungere inden for et bredt temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer pålidelig ydeevne under forskellige miljøforhold og minimerer risikoen for termisk svigt.
Kan den bruges til højfrekvente switching-applikationer?
Ja, den er designet til at kunne skifte hurtigt, hvilket gør den velegnet til højfrekvente operationer og dermed forbedrer ydeevnen i kommunikations- og kontrolsystemer.
Hvilke overvejelser skal man gøre sig i forbindelse med installationen?
Brug passende varmestyringsteknikker, f.eks. en passende kølelegeme, da enheder med høj effekt har brug for effektiv varmeafledning for at opretholde funktionalitet og pålidelighed.
Hvad sker der, hvis gate-source-spændingen overskrider den maksimale værdi?
Overskridelse af den maksimale gate-source-spænding kan resultere i fejl på enheden, så det er vigtigt at overholde de angivne grænser for at sikre lang levetid og forhindre skader.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 130 A 40 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 10 A 100 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej IRL520NPBF
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V Forbedring TO-220, LogicFET Nej IRL530NPBF
- Infineon Type N-Kanal 140 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 130 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 140 A 30 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET Nej IRL3803PBF
- Infineon Type N-Kanal 104 A 55 V Forbedring JEDEC TO-220AB, LogicFET Nej IRL2505PBF
