Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 1.2 A 400 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRF710
- RS-varenummer:
- 543-0074
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-165
- Producentens varenummer:
- IRF710PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 12,42
(ekskl. moms)
Kr. 15,52
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 195 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.230 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 12,42 |
| 10 - 49 | Kr. 11,67 |
| 50 - 99 | Kr. 8,53 |
| 100 - 249 | Kr. 8,00 |
| 250 + | Kr. 7,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 543-0074
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-165
- Producentens varenummer:
- IRF710PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF710 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF710 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.41mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 9.01mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRF710 seriens Power MOSFET, 400 V maksimal drain source-spænding, 1,2 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRF710PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er pakket til montering gennem hul, hvilket giver en kompakt, brugbar mulighed til kort og enheder, der kræver diskret transistorskiftning ved høje spændinger.
Egenskaber og fordele:
• 400 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 3,6 Ω Rds(on) reducerer ledningstab i kredsløb med lav strøm • 1,2 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter beskedne belastningsstrømme • 17 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig omskiftningskontrol • 36 W effekttab håndterer periodisk termisk belastning • 20 V gate-source-grænse tillader almindelige gate-drive-spændinger
Anvendelser
• Velegnet til industrielle relæ- og kontaktordrivertrin • Ideel til højspændings laboratoriestrømforsyninger • Anvendes til omskiftning af snubber og udluftningsmodstand på netsiden • Kan bruges til motorstyring i hjælpekredsløb med lav strøm
Hvilken monteringstype bruger den, og hvorfor er det nyttigt?
Det er en enhed med gennemgående hul i en TO-220AB-pakke, der forenkler varmeafgivelse og udskiftning på servicerbare enheder.
Hvilket omgivelsestemperaturområde kan den tolerere under drift?
Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med bred termisk variation.
Hvordan påvirker gate-opladning drivervalg?
Med en typisk gate-ladning på 17 nC skal drivere levere tilstrækkelig spidsstrøm til de ønskede skiftehastigheder, mens de styrer gate-drive-energi.
Hvad er den maksimale sikre gate-spænding, der skal anvendes?
Den maksimale gate-source-spænding er 20 V, så gate-drive-kredsløb bør begrænse styringsspændingerne tilsvarende for at undgå skader.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 2 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 10 A 400 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 2.5 A 500 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 200 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 14 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 28 A 100 V Forbedring TO-220, IRF
- Vishay Type N-Kanal 3.3 A 400 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRF