Infineon N-Kanal, MOSFET, 29 A 55 V, 3 ben, D2PAK (TO-263), HEXFET IRFZ34NSPBF

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Infineon IRFZ34NS er 55 V 1-kanals IR MOSFET i et D2-Pak-hus. D-Pak er designet til overflademontering ved hjælp af dampfase, infrarød eller bølgelodning.

Hurtigt skift
Fuldt lavine-klassificeret
Blyfri

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.