MPN

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

RS-varenummer:: 671-0514P
Producentens varenummer:: FDS4480
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 10.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 11,83

(ekskl. moms)

Kr. 14,79

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 2.165 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.
5 +	Kr. 2,366

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-0514P
Producentens varenummer:: FDS4480
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	10.8A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	SOIC
	Serie	PowerTrench
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	21mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	29nC
	Effektafsættelse maks. Pd	2.5W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	5mm
	Højde	1.5mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.8A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype SOIC
	Serie PowerTrench
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 21mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 29nC
	Effektafsættelse maks. Pd 2.5W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 5mm
	Højde 1.5mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

PowerTrench® N-kanal MOSFET, 10 A til 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.