onsemi N-Kanal, MOSFET, 6,9 A, 8,2 A 30 V, 8 ben, SOIC, PowerTrench, SyncFET FDS6900AS

Er designet til at minimere tab i strømkonvertering med bevarelse af fremragende skifteevne
Højtydende Trench-teknologi til ekstrem lav RDS(on)
SyncFET™ drager fordel af en effektivt diode i Schottky-hus
Anvendelse i synkron ensrettet DC-DC konverter, motorstyringer, kontakt på netværksbelastningspunkts lavside

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.