onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, QFET Nej FQB27P06TM

RS-varenummer:: 671-0873
Producentens varenummer:: FQB27P06TM
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, QFET Nej FQB27P06TM

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 88,79

(ekskl. moms)

Kr. 110,99

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Manglende forsyning

På grund af begrænsninger i forsyningskæden tildeles lageret, efterhånden som produktet bliver tilgængeligt. Du kan bestille dette produkt, og vi vil opdatere dig om en leveringsdato så hurtigt som muligt.

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 17,758	Kr. 88,79
50 - 95	Kr. 15,32	Kr. 76,60
100 - 495	Kr. 13,27	Kr. 66,35
500 +	Kr. 11,668	Kr. 58,34

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-0873
Producentens varenummer:: FQB27P06TM
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	27A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	QFET
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	70mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	3.75W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	-4V
	Portkildespænding maks.	25 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	33nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	9.65 mm
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	4.83mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie QFET
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 70mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 3.75W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf -4V
	Portkildespænding maks. 25 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 9.65 mm
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 4.83mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.