onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, QFET
- RS-varenummer:
- 671-0873
- Producentens varenummer:
- FQB27P06TM
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 88,79
(ekskl. moms)
Kr. 110,99
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Manglende forsyning
På grund af begrænsninger i forsyningskæden tildeles lageret, efterhånden som produktet bliver tilgængeligt.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 17,758 | Kr. 88,79 |
| 50 - 95 | Kr. 15,32 | Kr. 76,60 |
| 100 - 495 | Kr. 13,27 | Kr. 66,35 |
| 500 + | Kr. 11,668 | Kr. 58,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 671-0873
- Producentens varenummer:
- FQB27P06TM
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 70mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -4V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.75W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 33nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.83mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 70mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -4V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.75W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 33nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.83mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor
On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal
• tætpakket celledesign
• høj mætningsstrøm
• overlegent skift
• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
• DMOS-teknologi
Anvendelsesområder:
• Belastningsskift
• DC/DC-omformer
• Batteribeskyttelse
• Strømstyring
• styring af DC-motor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 27 A 60 V Forbedring TO-263, QFET
- onsemi Type P-Kanal 47 A 60 V Forbedring TO-263, QFET
- onsemi Type P-Kanal 27 A 60 V Forbedring TO-220, QFET
- onsemi Type P-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-263, QFET
- onsemi Type P-Kanal 11.5 A 200 V Forbedring TO-263, QFET
- onsemi Type P-Kanal 22 A 100 V Forbedring TO-263, QFET
- onsemi Type N-Kanal 52 A 60 V Forbedring TO-263, QFET
- onsemi Type P-Kanal 2.7 A 500 V Forbedring JEDEC TO-220AB, QFET