onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 11.5 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, QFET Nej FQB12P20TM

RS-varenummer:: 671-0860
Producentens varenummer:: FQB12P20TM
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 11.5 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, QFET Nej FQB12P20TM

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 90,58

(ekskl. moms)

Kr. 113,225

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 245 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 - 45	Kr. 18,116	Kr. 90,58
50 - 95	Kr. 15,618	Kr. 78,09
100 - 495	Kr. 13,538	Kr. 67,69
500 +	Kr. 11,908	Kr. 59,54

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 671-0860
Producentens varenummer:: FQB12P20TM
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	11.5A
	Drain source spænding maks. Vds	200V
	Serie	QFET
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	470mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	3.13W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	31nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30 V
	Gennemgangsspænding Vf	-5V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	9.65 mm
	Længde	10.67mm
	Højde	4.83mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A
	Drain source spænding maks. Vds 200V
	Serie QFET
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 470mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 3.13W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30 V
	Gennemgangsspænding Vf -5V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 9.65 mm
	Længde 10.67mm
	Højde 4.83mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.