onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 8 A 1 kV Forbedring, 3 Ben, TO-3PN, QFET Nej FQA8N100C

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 21,17

(ekskl. moms)

Kr. 26,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Manglende forsyning
  • 1.195 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 21,17
10 +Kr. 18,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-4972
Producentens varenummer:
FQA8N100C
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

8A

Drain source spænding maks. Vds

1kV

Serie

QFET

Emballagetype

TO-3PN

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.45Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Effektafsættelse maks. Pd

225W

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

15.8mm

Bredde

5 mm

Højde

18.9mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

QFET® N-kanal MOSFET, 6 A til 10,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.

De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links