onsemi Type P-Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, QFET

Indhold 5 enheder (leveres i et rør)*

Kr. 59,17

(ekskl. moms)

Kr. 73,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 11,834

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
671-5118P
Producentens varenummer:
FQP3P50
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

P-kanal QFET MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.7A

Drain source spænding maks. Vds

500V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

QFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.9Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-5V

Effektafsættelse maks. Pd

85W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

18nC

Min. driftstemperatur

55°C

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.4mm

Bredde

4.7mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

Kanaltype

Type P

Produkttype

P-kanal QFET MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id)

2.7 A

Drain source spænding maks. (Vds)

500 V

Kanalform

Forbedring

Benantal

3

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

QFET

Bilindustristandarder

Nej

Gennemgangsspænding (Vf)

-5 V

Højde

9.4 mm

Længde

10.1 mm

Drain source modstand maks. (Rds)

4.9 Ω

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150 °C

Effektafsættelse maks. (Pd)

85 W

Min. driftstemperatur

55 °C

Monteringstype

Hulmontering

Standarder/godkendelser

No

Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk

18 nC

Bredde

4.7 mm

QFET® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.

De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.