onsemi Type P-Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, QFET
- RS-varenummer:
- 671-5118P
- Producentens varenummer:
- FQP3P50
- Brand:
- onsemi
- RS-varenummer:
- 671-5118P
- Producentens varenummer:
- FQP3P50
- Brand:
- onsemi
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | P-kanal QFET MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 500V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.9Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 18nC | |
| Min. driftstemperatur | 55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 85W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | P-kanal QFET MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) | 2.7 A | |
| Drain source spænding maks. (Vds) | 500 V | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Benantal | 3 | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | QFET | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Gennemgangsspænding (Vf) | -5 V | |
| Højde | 9.4 mm | |
| Længde | 10.1 mm | |
| Drain source modstand maks. (Rds) | 4.9 Ω | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150 °C | |
| Effektafsættelse maks. (Pd) | 85 W | |
| Min. driftstemperatur | 55 °C | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk | 18 nC | |
| Bredde | 4.7 mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype P-kanal QFET MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 500V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.9Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 18nC | ||
Min. driftstemperatur 55°C | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 85W | ||
Gennemgangsspænding Vf -5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.1mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype P-kanal QFET MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. (Id) 2.7 A | ||
Drain source spænding maks. (Vds) 500 V | ||
Kanalform Forbedring | ||
Benantal 3 | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie QFET | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Gennemgangsspænding (Vf) -5 V | ||
Højde 9.4 mm | ||
Længde 10.1 mm | ||
Drain source modstand maks. (Rds) 4.9 Ω | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150 °C | ||
Effektafsættelse maks. (Pd) 85 W | ||
Min. driftstemperatur 55 °C | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Gate-ladning ved (Qg) Vgs typisk 18 nC | ||
Bredde 4.7 mm | ||