STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 343,50

(ekskl. moms)

Kr. 429,38

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.134 enhed(er) afsendes fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
20 - 98Kr. 17,175
100 - 198Kr. 13,095
200 +Kr. 11,715

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
687-5065P
Producentens varenummer:
STB120NF10T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

STripFET II

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

312W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

172nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.6mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.